Продукція > IXYS > IXGM25N100A

IXGM25N100A IXYS


littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgm25n100a_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
TO-3 9352+
на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGM25N100A IXYS

Description: IGBT 1000V 50A 200W TO204AE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-204AE, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-204AE, Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns, Switching Energy: 5mJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXGM25N100A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGM25N100A Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgm25n100a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1000V 50A 200W TO204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-204AE
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Switching Energy: 5mJ (off)
Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній