Продукція > IXYS > IXGN200N170
IXGN200N170

IXGN200N170 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n170-datasheet?assetguid=7e04c6cf-4f13-4544-a332-6f459d9482a9
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 280A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/320ns
Switching Energy: 28mJ (on), 30mJ (off)
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1050 A
Power - Max: 1250 W
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4641.94 грн
10+3444.61 грн
100+3426.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGN200N170 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V, Verlustleistung Pd: 1.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 280A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 280A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXGN200N170 за ціною від 4453.43 грн до 5982.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGN200N170 IXGN200N170 Littelfuse media.pdf IGBT Module, High Voltage IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5982.55 грн
5+5800.14 грн
10+5441.79 грн
20+4917.57 грн
50+4619.67 грн
100+4531.16 грн
250+4453.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170 IXGN200N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXGN200N170_Datasheet.PDF IGBTs SOT227 1700V 160A IGBT
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170 IXGN200N170 LITTELFUSE IXYS-S-A0008595129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 280A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170 media.pdf
IXGN200N170
Виробник: Littelfuse
IGBT Module, High Voltage IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+5982.55 грн
5+5800.14 грн
10+5441.79 грн
20+4917.57 грн
50+4619.67 грн
100+4531.16 грн
250+4453.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170 Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXGN200N170_Datasheet.PDF
IXGN200N170
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1700V 160A IGBT
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N170 IXYS-S-A0008595129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGN200N170
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXGN200N170 - IGBT-Modul, Einfach, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 280A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.