IXGN200N60B3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3457.39 грн |
| 3+ | 3174.52 грн |
| 10+ | 3087.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGN200N60B3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 300A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 830W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: IGBT Module GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 300A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXGN200N60B3 за ціною від 2732.62 грн до 6323.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Dauer-Kollektorstrom: 300A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V Verlustleistung Pd: 830W euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: IGBT Module GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 300A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 830 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 830W Mechanical mounting: screw Technology: GenX3™; PT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
IXGN200N60B3 Код товару: 176713
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
| IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |