Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXGN200N60B3
IXGN200N60B3

IXGN200N60B3 IXYS SEMICONDUCTOR

2362858.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3403.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGN200N60B3 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, Dauer-Kollektorstrom: 300A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V, Verlustleistung Pd: 830W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: IGBT Module GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 300A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXGN200N60B3 за ціною від 2713.01 грн до 6278.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : IXYS ixgn200n60b3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3409.25 грн
3+3115.92 грн
10+3030.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3837.68 грн
10+3105.04 грн
25+3074.07 грн
50+2963.55 грн
100+2713.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c Description: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3935.28 грн
10+2884.87 грн
100+2775.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : IXYS media-3322400.pdf IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4076.05 грн
10+3417.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : IXYS ixgn200n60b3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 830W
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4091.10 грн
3+3882.91 грн
10+3636.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+4132.89 грн
10+3343.89 грн
25+3310.54 грн
50+3191.52 грн
100+2921.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+6278.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn200n60b3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3
Код товару: 176713
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn200n60b3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.