Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXGN200N60B3 за ціною від 4350.84 грн до 6287.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IXGN200N60B3 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IXGN200N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||
| IXGN200N60B3 | Виробник : Clare |
IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||
| IXGN200N60B3 | Виробник : Vishay |
IGBT MOD 600V 300A 830W SOT-227B Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 830 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IXGN200N60B3 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Technology: GenX3™; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 830W Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV |
товару немає в наявності |