Продукція > Транзистори > IGBT > IXGN200N60B3

IXGN200N60B3

littelfuse-discrete-igbts-ixgn200n60b3-datasheet?assetguid=afbc1b0a-9329-4956-9583-cb1d3432b70c
Код товару: 176713
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXGN200N60B3 за ціною від 4408.46 грн до 4408.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 Littelfuse littelfusediscreteigbtsptixgn200n60b3datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4408.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 IXGN200N60B3 IXYS SEMICONDUCTOR 2362858.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 littelfusediscreteigbtsptixgn200n60b3datasheet.pdf
IXGN200N60B3
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 830W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4408.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN200N60B3 2362858.pdf
IXGN200N60B3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGN200N60B3 - IGBT-Modul, Einfach, 300 A, 1.35 V, 830 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: PT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Dauer-Kollektorstrom: 300A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 830W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: IGBT Module GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.