IXGN320N60A3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2434.44 грн |
| 10+ | 2088.33 грн |
| 100+ | 1833.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGN320N60A3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V, Dauer-Kollektorstrom: 320A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Tab, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V, Verlustleistung Pd: 735W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: GenX3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 320A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXGN320N60A3 за ціною від 1945.61 грн до 2825.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGN320N60A3 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 320 Amps 600V |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXGN320N60A3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Panel rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V Dauer-Kollektorstrom: 320A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Tab Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V Verlustleistung Pd: 735W euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: GenX3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Single productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 320A Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXGN320N60A3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735000mW 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXGN320N60A3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXGN320N60A3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXGN320N60A3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXGN320N60A3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXGN320N60A3 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Technology: GenX3™; PT Collector current: 170A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXGN320N60A3 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Technology: GenX3™; PT Collector current: 170A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |