
IXGN320N60A3 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 320A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: 735W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2693.73 грн |
5+ | 2594.69 грн |
10+ | 2503.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGN320N60A3 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V, Dauer-Kollektorstrom: 320A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Tab, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V, Verlustleistung Pd: 735W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: GenX3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 320A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXGN320N60A3 за ціною від 2012.15 грн до 3217.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGN320N60A3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 735 W Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V |
на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXGN320N60A3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXGN320N60A3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXGN320N60A3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXGN320N60A3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXGN320N60A3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 170A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 735W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: GenX3™; PT Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXGN320N60A3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 170A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 735W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: GenX3™; PT Case: SOT227B |
товару немає в наявності |