IXGN320N60A3

IXGN320N60A3 LITTELFUSE


LFSI-S-A0007912364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 320A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: 735W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2693.73 грн
5+2594.69 грн
10+2503.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGN320N60A3 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V, Dauer-Kollektorstrom: 320A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Tab, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V, Verlustleistung Pd: 735W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: GenX3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 320A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції IXGN320N60A3 за ціною від 2012.15 грн до 3217.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgn320n60a3-datasheet?assetguid=231d72ae-a2f0-4d0a-8cc9-6874d5202487 Description: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3030.44 грн
10+2187.58 грн
100+2012.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 Виробник : IXYS media-3319728.pdf IGBTs 320 Amps 600V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3217.75 грн
10+2588.86 грн
20+2250.45 грн
100+2171.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 Виробник : IXYS IXGN320N60A3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 170A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 735W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Case: SOT227B
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 Виробник : IXYS IXGN320N60A3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 170A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 735W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Case: SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.