| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5988.94 грн |
| 10+ | 4877.67 грн |
| 100+ | 3885.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGN400N60A3 IXYS
Description: IGBT MOD 600V 400A 830W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 400 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 830 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V.
Інші пропозиції IXGN400N60A3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXGN400N60A3 | Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 600V 400A 830W 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXGN400N60A3 |
SOT-227B Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IXGN400N60A3 | IXYS |
Description: IGBT MOD 600V 400A 830W SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 830 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IXGN400N60A3 | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Technology: GenX3™; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 190A Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 830W Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXGN400N60A3 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH 600V 400A 830W 4-Pin SOT-227B
Trans IGBT Module N-CH 600V 400A 830W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXGN400N60A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 600V 400A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 600V 400A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXGN400N60A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 190A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 830W
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 190A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 830W
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






