Продукція > IXYS > IXGP20N100
IXGP20N100

IXGP20N100 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_20n100_1of2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 1000V 40A 150W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/350ns
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGP20N100 IXYS

Description: IGBT 1000V 40A 150W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/350ns, Switching Energy: 3.5mJ (off), Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 73 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції IXGP20N100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGP20N100 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_20n100_1of2_datasheet.pdf.pdf IGBT Transistors 40 Amps 1000V 3 Rds
товар відсутній