IXGP20N120A3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGP20N120A3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXGP20N120A3 за ціною від 237.27 грн до 1093.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXGP20N120A3 | IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 40A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 180 W |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXGP20N120A3 | Ixys Corporation |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXGP20N120A3 | IXYS |
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXGP20N120A3 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXGP20N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
Description: IGBT PT 1200V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 616.05 грн |
| 50+ | 324.11 грн |
| 100+ | 298.19 грн |
| 500+ | 237.27 грн |
| IXGP20N120A3 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1093.48 грн |
| IXGP20N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXGP20N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






