Продукція > IXYS > IXGP30N120B3
IXGP30N120B3

IXGP30N120B3 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 60A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.81 грн
50+419.70 грн
100+387.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGP30N120B3 IXYS

Description: IGBT PT 1200V 60A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns, Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off), Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції IXGP30N120B3 за ціною від 392.51 грн до 1018.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 Виробник : IXYS IXGA(H,P)30N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_30N120B3_Datasheet.PDF IGBTs 30 Amps 1200V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+831.12 грн
10+461.16 грн
100+392.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 Виробник : IXYS IXGA(H,P)30N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Technology: GenX3™; PT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 56ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 300W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.11 грн
50+518.54 грн
100+464.56 грн
500+430.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 Виробник : Ixys Corporation littelfusediscreteigbtsptixg30n120b3datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1018.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 Виробник : Littelfuse littelfusediscreteigbtsptixg30n120b3datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n120b3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.