IXGP30N120B3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 762.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGP30N120B3 IXYS
Description: IGBT PT 1200V 60A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns, Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off), Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції IXGP30N120B3 за ціною від 355.99 грн до 1018.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXGP30N120B3 | Виробник : IXYS |
IGBTs 30 Amps 1200V |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXGP30N120B3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 60A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 300 W |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXGP30N120B3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXGP30N120B3 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXGP30N120B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXGP30N120B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |


