
IXGP30N120B3 IXYS

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 784.02 грн |
3+ | 347.15 грн |
8+ | 327.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGP30N120B3 IXYS
Description: IGBT PT 1200V 60A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns, Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off), Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції IXGP30N120B3 за ціною від 346.93 грн до 940.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGP30N120B3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 300 W |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXGP30N120B3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXGP30N120B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXGP30N120B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXGP30N120B3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |