Продукція > IXYS > IXGP8N100

IXGP8N100 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_8n100_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
09+
на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGP8N100 IXYS

Description: IGBT 1000V 16A 54W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/600ns, Switching Energy: 2.3mJ (off), Test Condition: 800V, 8A, 120Ohm, 15V, Gate Charge: 26.5 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A, Power - Max: 54 W.

Інші пропозиції IXGP8N100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGP8N100 IXGP8N100 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_8n100_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1000V 16A 54W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/600ns
Switching Energy: 2.3mJ (off)
Test Condition: 800V, 8A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 26.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 54 W
товар відсутній