Продукція > IXYS > IXGQ85N33PCD1
IXGQ85N33PCD1

IXGQ85N33PCD1 IXYS

DS99610E(IXG_85N33PCD1).pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 330V 85A 150W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.53 грн
30+ 346.34 грн
120+ 309.9 грн
510+ 256.61 грн
1020+ 230.95 грн
2010+ 216.41 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGQ85N33PCD1 IXYS

Description: IGBT 330V 85A 150W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-3P, Gate Charge: 80 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції IXGQ85N33PCD1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGQ85N33PCD1 Виробник : IXYS ixys_ds99610dixgq85n33pcd1-1547542.pdf IGBT Transistors 340 Amps 330V
товар відсутній