IXGQ85N33PCD1 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 330V 85A 150W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Power - Max: 150 W
Description: IGBT 330V 85A 150W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 450.53 грн |
30+ | 346.34 грн |
120+ | 309.9 грн |
510+ | 256.61 грн |
1020+ | 230.95 грн |
2010+ | 216.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGQ85N33PCD1 IXYS
Description: IGBT 330V 85A 150W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-3P, Gate Charge: 80 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції IXGQ85N33PCD1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXGQ85N33PCD1 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors 340 Amps 330V |
товар відсутній |