Продукція > IXYS > IXGR16N170AH1
IXGR16N170AH1

IXGR16N170AH1 IXYS

IXGR_16N170AH1.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 16A ISOPLUS247
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 120 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGR16N170AH1 IXYS

Description: IGBT 1700V 16A ISOPLUS247, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 8A, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 120 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 65 nC, Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 900µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 36ns/200ns.

Інші пропозиції IXGR16N170AH1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGR16N170AH1 IXGR16N170AH1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXGR16N170AH1_Datasheet.PDF IGBTs 8 Amps 1700V 5.2 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR16N170AH1 IXYS IXGR_16N170AH1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.7kV; 16A; 120W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 120W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR16N170AH1 IXGR16N170AH1 IXYS SEMICONDUCTOR 1795536.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - IGBT, isoliert, 16 A, 5 V, 120 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 5
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR16N170AH1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXGR16N170AH1_Datasheet.PDF
IXGR16N170AH1
Виробник: IXYS
IGBTs 8 Amps 1700V 5.2 Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR16N170AH1 IXGR_16N170AH1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.7kV; 16A; 120W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 120W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR16N170AH1 1795536.pdf
IXGR16N170AH1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - IGBT, isoliert, 16 A, 5 V, 120 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 5
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Verlustleistung Pd: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.