Продукція > IXYS > IXGT10N170
IXGT10N170

IXGT10N170 IXYS

media-3323670.pdf Виробник: IXYS
IGBT Transistors 20 Amps 1700 V 4 V Rds
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1120.55 грн
10+972.53 грн
30+822.72 грн
60+777.56 грн
120+731.64 грн
270+720.93 грн
510+706.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGT10N170 IXYS

Description: IGBT NPT 1700V 20A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: NPT, Gate Charge: 32 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A, Power - Max: 110 W.

Інші пропозиції IXGT10N170 за ціною від 614.20 грн до 1206.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGT10N170 IXGT10N170 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb Description: IGBT NPT 1700V 20A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1206.20 грн
30+712.54 грн
120+614.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb IXGT10N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.