IXGT10N170 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 1700V 20A TO-268AA
Power - Max: 110 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 32 nC
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1139.47 грн |
| 30+ | 673.12 грн |
| 120+ | 580.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT10N170 IXYS
Description: IGBT NPT 1700V 20A TO-268AA, Power - Max: 110 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Gate Charge: 32 nC, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-268AA, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXGT10N170
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT10N170 | IXYS |
IGBT Transistors 20 Amps 1700 V 4 V Rds |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXGT10N170 |
|
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 20 Amps 1700 V 4 V Rds
IGBT Transistors 20 Amps 1700 V 4 V Rds
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)