Продукція > IXYS > IXGT10N170A
IXGT10N170A

IXGT10N170A IXYS

Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_10N170A_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGT10N170A IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268, Collector current: 5A, Case: TO268, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 20A, Power dissipation: 140W, Gate charge: 29nC, Technology: NPT, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 107ns, Kind of package: tube, Turn-off time: 240ns, Mounting: SMD, Collector-emitter voltage: 1.7kV.

Інші пропозиції IXGT10N170A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGT10N170A IXGT10N170A IXYS 98991.pdf Description: IGBT 1700V 10A 140W TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A IXGT10N170A IXYS IXG_10N170A.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 240ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A Littelfuse 98991.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A 98991.pdf
IXGT10N170A
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 10A 140W TO268
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A IXG_10N170A.pdf
IXGT10N170A
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 240ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A 98991.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.