Продукція > LITTELFUSE > IXGT16N170

IXGT16N170 Littelfuse

Name: IXGT16N170
Brand: IXYS
SKU: 459857152-1
Price: 1213.17 UAH
Availability: BackOrder

littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXGT16N170 Littelfuse

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 16A, Pulsed collector current: 80A, Turn-on time: 90ns, Turn-off time: 1.6µs, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 190W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 78nC, Technology: NPT, Mounting: SMD, Case: TO268, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXGT16N170

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXGT16N170	Виробник : IXYS	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 1.6µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 78nC Technology: NPT Mounting: SMD Case: TO268 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXGT16N170	Виробник : IXYS	Description: IGBT 1700V 32A 190W TO268	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXGT16N170	Виробник : IXYS	IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXGT16N170	Виробник : IXYS	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 1.6µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 78nC Technology: NPT Mounting: SMD Case: TO268	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.