Технічний опис IXGT16N170 Littelfuse
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268, Mounting: SMD, Pulsed collector current: 80A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 90ns, Kind of package: tube, Case: TO268, Turn-off time: 1.6µs, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 16A, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Power dissipation: 190W, Gate charge: 78nC, Technology: NPT, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGT16N170
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT16N170 | Виробник : IXYS |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268 Mounting: SMD Pulsed collector current: 80A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 90ns Kind of package: tube Case: TO268 Turn-off time: 1.6µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 190W Gate charge: 78nC Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXGT16N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 32A 190W TO268 |
товар відсутній |
|
 |
IXGT16N170 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXGT16N170 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268 Mounting: SMD Pulsed collector current: 80A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 90ns Kind of package: tube Case: TO268 Turn-off time: 1.6µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 16A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 190W Gate charge: 78nC Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |