на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1015.98 грн |
| 10+ | 882.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT16N170A IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268, Mounting: SMD, Pulsed collector current: 40A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 35ns, Kind of package: tube, Case: TO268, Turn-off time: 298ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 11A, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Power dissipation: 190W, Gate charge: 70nC, Technology: NPT, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGT16N170A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT16N170A | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT 1700V 16A 190W TO268 |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IXGT16N170A | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
 |
IXGT16N170A | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268 Mounting: SMD Pulsed collector current: 40A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 35ns Kind of package: tube Case: TO268 Turn-off time: 298ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 11A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 190W Gate charge: 70nC Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IXGT16N170A | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268 Mounting: SMD Pulsed collector current: 40A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 35ns Kind of package: tube Case: TO268 Turn-off time: 298ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 11A Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 190W Gate charge: 70nC Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |