Продукція > IXYS > IXGT16N170A
IXGT16N170A

IXGT16N170A IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170a-datasheet?assetguid=31b2ad41-5a16-44e6-b9df-71279de8f8d8 Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 1700V 16A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1569.57 грн
30+958.33 грн
120+878.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGT16N170A IXYS

Description: IGBT NPT 1700V 16A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns, Switching Energy: 900µJ (off), Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 190 W.

Інші пропозиції IXGT16N170A за ціною від 1339.11 грн до 1683.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGT16N170A IXGT16N170A Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_16N170A_Datasheet.PDF IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1683.92 грн
10+1339.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170A IXGT16N170A Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170a_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170A IXGT16N170A Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: NPT
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.