IXGT24N170 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 106nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 105ns
Case: TO268
Turn-off time: 560ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT24N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Power dissipation: 250W, Gate charge: 106nC, Technology: NPT, Features of semiconductor devices: high voltage, Pulsed collector current: 150A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 105ns, Case: TO268, Turn-off time: 560ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGT24N170
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT24N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 50A 250W TO268 |
товар відсутній |
|
 |
IXGT24N170 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXGT24N170 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.7kV Power dissipation: 250W Gate charge: 106nC Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage Pulsed collector current: 150A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 105ns Case: TO268 Turn-off time: 560ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Mounting: SMD |
товар відсутній |