IXGT24N170 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: NPT
Case: TO268
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 105ns
Gate charge: 106nC
Turn-off time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT24N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Pulsed collector current: 150A, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Technology: NPT, Case: TO268, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Mounting: SMD, Turn-on time: 105ns, Gate charge: 106nC, Turn-off time: 560ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGT24N170
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT24N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 50A 250W TO268 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXGT24N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXGT24N170 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 150A Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: NPT Case: TO268 Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: SMD Turn-on time: 105ns Gate charge: 106nC Turn-off time: 560ns |
товару немає в наявності |