IXGT25N160 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 283ns
Turn-off time: 526ns
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Power dissipation: 300W
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Kind of package: tube
Gate charge: 84nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT25N160 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268, Type of transistor: IGBT, Collector current: 25A, Case: TO268, Mounting: SMD, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 283ns, Turn-off time: 526ns, Collector-emitter voltage: 1.6kV, Power dissipation: 300W, Technology: NPT, Features of semiconductor devices: high voltage, Kind of package: tube, Gate charge: 84nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGT25N160
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT25N160 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1600V 75A 300W TO268 |
товар відсутній |
|
 |
IXGT25N160 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXGT25N160 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268 Type of transistor: IGBT Collector current: 25A Case: TO268 Mounting: SMD Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 283ns Turn-off time: 526ns Collector-emitter voltage: 1.6kV Power dissipation: 300W Technology: NPT Features of semiconductor devices: high voltage Kind of package: tube Gate charge: 84nC |
товар відсутній |