IXGT25N160 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 1600V 75A TO-268AA
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 84 nC
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT25N160 IXYS
Description: IGBT NPT 1600V 75A TO-268AA, Power - Max: 300 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Gate Charge: 84 nC, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-268AA, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXGT25N160
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXGT25N160 | IXYS |
IGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXGT25N160 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
IGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


