IXGT2N250 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5.5A TO268AA
Power - Max: 32 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Gate Charge: 10.5 nC
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT2N250 IXYS
Description: IGBT 2500V 5.5A TO268AA, Power - Max: 32 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A, Gate Charge: 10.5 nC, Supplier Device Package: TO-268AA, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXGT2N250
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT2N250 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors IGBT NPT-VERY HIVOLT |
товару немає в наявності |