на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1556.28 грн |
| 10+ | 1314.29 грн |
| 30+ | 1056.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT30N120B3D1 IXYS
Description: IGBT PT 1200V TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns, Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off), Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції IXGT30N120B3D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGT30N120B3D1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXGT30N120B3D1 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXGT30N120B3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V TO-268AA Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-268AA IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 300 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXGT30N120B3D1 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns |
товару немає в наявності |