Продукція > IXYS > IXGT60N60C3D1
IXGT60N60C3D1

IXGT60N60C3D1 IXYS

IXGH60N60C3D1.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.53 грн
3+ 310.68 грн
8+ 294.07 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGT60N60C3D1 IXYS

Description: IGBT 600V 75A 380W TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns, Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 380 W.

Інші пропозиції IXGT60N60C3D1 за ціною від 347.07 грн до 503.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 Виробник : IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+503.43 грн
3+ 387.15 грн
8+ 352.89 грн
30+ 347.07 грн
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_60n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_60n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 75A 380W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns
Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 380 W
товар відсутній
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 Виробник : IXYS media-3321016.pdf IGBT Transistors 60 Amps 600V
товар відсутній