| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 996.05 грн |
| 10+ | 983.78 грн |
| 25+ | 772.53 грн |
| 100+ | 718.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGT72N60A3 Littelfuse
Description: IGBT PT 600V 75A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/320ns, Switching Energy: 1.38mJ (on), 3.5mJ (off), Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 540 W.
Інші пропозиції IXGT72N60A3 за ціною від 728.39 грн до 1203.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXGT72N60A3 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 540W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 230nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 400A Turn-on time: 61ns Turn-off time: 885ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 72A Collector-emitter voltage: 600V Technology: GenX3™ |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXGT72N60A3 | Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXGT72N60A3 | Ixys Corporation |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXGT72N60A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1004.61 грн |
| 3+ | 864.29 грн |
| IXGT72N60A3 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1009.35 грн |
| 15+ | 996.92 грн |
| 25+ | 782.84 грн |
| 100+ | 728.39 грн |
| IXGT72N60A3 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268
Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 1203.85 грн |




