Продукція > IXYS > IXGX50N120C3H1

IXGX50N120C3H1 IXYS

Name: IXGX50N120C3H1
Brand: IXYS
SKU: 2354460-3
Price: 346800 UAH
Availability: InStock

littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf

Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 95A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/123ns
Switching Energy: 2mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 196 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 460 W

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
300+	1156.00 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXGX50N120C3H1 IXYS

Description: IGBT PT 1200V 95A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/123ns, Switching Energy: 2mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 196 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 95 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 460 W.

Інші пропозиції IXGX50N120C3H1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXGX50N120C3H1	Виробник : Littelfuse	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 95A 460000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXGX50N120C3H1	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™ Mounting: THT Case: PLUS247™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 240A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 485ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 196nC Technology: GenX3™; PT кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXGX50N120C3H1	Виробник : IXYS	IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXGX50N120C3H1	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™ Mounting: THT Case: PLUS247™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 240A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 485ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 460W Kind of package: tube Gate charge: 196nC Technology: GenX3™; PT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.