Продукція > IXYS > IXGX50N120C3H1
IXGX50N120C3H1

IXGX50N120C3H1 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 95A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/123ns
Switching Energy: 2mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 196 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 460 W
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1133.46 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGX50N120C3H1 IXYS

Description: IGBT PT 1200V 95A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/123ns, Switching Energy: 2mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 196 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 95 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 460 W.

Інші пропозиції IXGX50N120C3H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGX50N120C3H1 IXGX50N120C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_50N120C3H1_Datasheet.PDF IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N120C3H1 IXGX50N120C3H1 IXYS IXGK(X)50N120C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 460W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N120C3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_50N120C3H1_Datasheet.PDF
IXGX50N120C3H1
Виробник: IXYS
IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N120C3H1 IXGK(X)50N120C3H1.pdf
IXGX50N120C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 460W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 485ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.