Продукція > IXYS > IXGX55N120A3H1
IXGX55N120A3H1

IXGX55N120A3H1 IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=0b246b35-b876-4e29-9349-439823204dc3&filename=littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_55n120a3h1_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
Power - Max: 460 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Gate Charge: 185 nC
Test Condition: 960V, 55A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/365ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGX55N120A3H1 IXYS

Description: IGBT 1200V 125A 460W PLUS247, Power - Max: 460 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 125 A, Gate Charge: 185 nC, Test Condition: 960V, 55A, 3Ohm, 15V, Switching Energy: 5.1mJ (on), 13.3mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 23ns/365ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 55A, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Input Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXGX55N120A3H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGX55N120A3H1 IXGX55N120A3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_55N120A3H1_Datasheet.PDF IGBTs Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 IXGX55N120A3H1 IXYS IXGK(X)55N120A3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 460W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_55N120A3H1_Datasheet.PDF
IXGX55N120A3H1
Виробник: IXYS
IGBTs Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 IXGK(X)55N120A3H1.pdf
IXGX55N120A3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 460W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.