Продукція > IXYS > IXKC25N80C

IXKC25N80C IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf

Виробник: IXYS
MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXKC25N80C IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUS220™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA, Supplier Device Package: ISOPLUS220™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXKC25N80C

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXKC25N80C	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH Si 800V 25A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXKC25N80C	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 550ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXKC25N80C	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXKC25N80C	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Case: ISOPLUS220™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 550ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.