Продукція > IXYS > IXKH20N60C5
IXKH20N60C5

IXKH20N60C5 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6F7820&compId=IXK(H)20N60C5.pdf?ci_sign=c65d3b92b0e7d2e519176033758644dd7791b0c2 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.66 грн
3+332.51 грн
8+314.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKH20N60C5 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IXKH20N60C5 за ціною від 377.67 грн до 599.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6F7820&compId=IXK(H)20N60C5.pdf?ci_sign=c65d3b92b0e7d2e519176033758644dd7791b0c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.59 грн
3+414.36 грн
8+377.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 Виробник : IXYS MOSFET 20 Amps 600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.