IXKH20N60C5 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 506.87 грн |
| 3+ | 424.10 грн |
| 10+ | 375.00 грн |
| 30+ | 336.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKH20N60C5 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IXKH20N60C5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXKH20N60C5 | IXYS |
MOSFET 20 Amps 600V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXKH20N60C5 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET 20 Amps 600V
MOSFET 20 Amps 600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.