IXKH30N60C5 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 310W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKH30N60C5 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Power dissipation: 310W, Case: TO247-3, On-state resistance: 0.125Ω, Mounting: THT, Gate charge: 53nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: super junction coolmos, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXKH30N60C5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXKH30N60C5") |
IXKH30N60C5 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXKH30N60C5 | Виробник : IXYS |
MOSFET 30 Amps 600V |
товар відсутній |
|
|
|
IXKH30N60C5 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 310W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товар відсутній |