Продукція > IXYS > IXKH70N60C5
IXKH70N60C5

IXKH70N60C5 IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKH70N60C5_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 70 Amps 600V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1928.12 грн
10+1521.89 грн
120+1229.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKH70N60C5 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IXKH70N60C5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf MOSFET PWR N-CH 600V 70A TO247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Gate charge: 150nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf
MOSFET PWR N-CH 600V 70A TO247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf
IXKH70N60C5
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXKH70N60C5.pdf
IXKH70N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3
Gate charge: 150nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 45mΩ
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.