Продукція > IXYS > IXKN45N80C

IXKN45N80C IXYS

Name: IXKN45N80C
Brand: IXYS
SKU: 139266-4
Price: 4567.78 UAH
Availability: InStock

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Super-Junction-IXKN45N80C-Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFET Modules 45 Amps 800V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	4567.78 грн
10+	3719.40 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXKN45N80C IXYS

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 800V; 44A; SOT227B; screw; 380W; 360nC, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 44A, Power dissipation: 380W, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 74mΩ, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 360nC, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: single transistor, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Reverse recovery time: 800ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXKN45N80C

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXKN45N80C	Виробник : IXYS	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 44A; SOT227B; screw; 380W; 360nC Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 380W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 74mΩ Kind of channel: enhancement Gate charge: 360nC Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Reverse recovery time: 800ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXKN45N80C	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXKN45N80C	Виробник : IXYS	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 44A; SOT227B; screw; 380W; 360nC Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A Power dissipation: 380W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 74mΩ Kind of channel: enhancement Gate charge: 360nC Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Reverse recovery time: 800ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.