Продукція > IXYS > IXKN45N80C
IXKN45N80C

IXKN45N80C IXYS


media-3320883.pdf Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 45 Amps 800V
на замовлення 10 шт:

термін постачання 1287-1296 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3731.57 грн
10+ 3458.47 грн
20+ 2948.76 грн
50+ 2834.22 грн
100+ 2778.28 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKN45N80C IXYS

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 800V; 44A; SOT227B; screw; 380W; 360nC, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 44A, Power dissipation: 380W, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 74mΩ, Gate charge: 360nC, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: single transistor, Reverse recovery time: 800ns, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXKN45N80C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXKN45N80C IXKN45N80C Виробник : IXYS IXKN45N80C.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 44A; SOT227B; screw; 380W; 360nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 380W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Gate charge: 360nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 800ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXKN45N80C IXKN45N80C Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkn45n80c_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
товар відсутній
IXKN45N80C IXKN45N80C Виробник : IXYS IXKN45N80C.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 44A; SOT227B; screw; 380W; 360nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 380W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Gate charge: 360nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 800ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній