IXKN75N60C IXYS
Виробник: IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4561.00 грн |
| 3+ | 4113.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKN75N60C IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 36mΩ, Pulsed drain current: 250A, Power dissipation: 560W, Technology: CoolMOS™, Gate-source voltage: ±20V, Mechanical mounting: screw, Gate charge: 500nC, Reverse recovery time: 580ns, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXKN75N60C за ціною від 5125.91 грн до 5473.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 36mΩ Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Technology: CoolMOS™ Gate-source voltage: ±20V Mechanical mounting: screw Gate charge: 500nC Reverse recovery time: 580ns Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXKN75N60C Код товару: 116581
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||
 |
IXKN75N60C | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 75 Amps 600V |
товару немає в наявності |