Інші пропозиції IXKN75N60C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXKN75N60C | Виробник : IXYS/Littelfuse |
 N-канальний ПТ на шасі, Id = 75 А, Udss, В = 600, Qg, нКл = 500 @ 10 В, Rds = 36 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 3,9 В @ 5 мА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-227B Од. вим: шткількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||
| IXKN75N60C |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||
 |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 75 Amps 600V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 580ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |