Продукція > IXYS > IXKN75N60C
IXKN75N60C

IXKN75N60C IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4539.08 грн
3+4093.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKN75N60C IXYS

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 36mΩ, Pulsed drain current: 250A, Power dissipation: 560W, Technology: CoolMOS™, Gate-source voltage: ±20V, Mechanical mounting: screw, Gate charge: 500nC, Reverse recovery time: 580ns, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXKN75N60C за ціною від 5101.26 грн до 5446.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXKN75N60C IXKN75N60C Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5446.89 грн
3+5101.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C
Код товару: 116581
Додати до обраних Обраний товар

IXKN75N60C.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_super_junction_ixkn75n60c_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C Виробник : IXYS IXKN75N60C.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C Виробник : IXYS media-3323933.pdf MOSFET Modules 75 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.