
IXKN75N60C IXYS

Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4491.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKN75N60C IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 250A, Power dissipation: 560W, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 36mΩ, Gate charge: 500nC, Kind of channel: enhancement, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Reverse recovery time: 580ns, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXKN75N60C за ціною від 3510.57 грн до 5389.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 580ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXKN75N60C Код товару: 116581
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||
![]() |
IXKN75N60C | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXKN75N60C | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |