Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXKN75N60C

IXKN75N60C

IXKN75N60C.pdf
Код товару: 116581
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXKN75N60C за ціною від 4197.72 грн до 4861.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS IXKN75N60C.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4861.73 грн
10+4197.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C.pdf
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4861.73 грн
10+4197.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.