Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXKN75N60C

IXKN75N60C

IXKN75N60C.pdf
Код товару: 116581
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXKN75N60C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXKN75N60C IXYS/Littelfuse IXKN75N60C.pdf N-канальний ПТ на шасі, Id = 75 А, Udss, В = 600, Qg, нКл = 500 @ 10 В, Rds = 36 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 3,9 В @ 5 мА,... Транзистори Корпус: SOT-227B Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C.pdf Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS IXKN75N60C.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKN75N60C_Datasheet.PDF MOSFET Modules 75 Amps 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS IXKN75N60C-DTE.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 36mΩ
Reverse recovery time: 580ns
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate charge: 500nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C Littelfuse IXKN75N60C.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C Littelfuse IXKN75N60C.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ на шасі, Id = 75 А, Udss, В = 600, Qg, нКл = 500 @ 10 В, Rds = 36 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 3,9 В @ 5 мА,... Транзистори Корпус: SOT-227B Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C.pdf
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C.pdf
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKN75N60C_Datasheet.PDF
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 75 Amps 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C-DTE.pdf
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 36mΩ
Reverse recovery time: 580ns
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Gate charge: 500nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.