на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1971.50 грн |
| 10+ | 1599.85 грн |
| 30+ | 1345.56 грн |
| 60+ | 1316.13 грн |
| 120+ | 1288.18 грн |
| 270+ | 1229.32 грн |
| 510+ | 1179.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKR25N80C IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IXKR25N80C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXKR25N80C | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 800V 25A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXKR25N80C | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 180nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXKR25N80C | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXKR25N80C | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 180nC |
товару немає в наявності |