
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2008.58 грн |
10+ | 1629.94 грн |
30+ | 1370.87 грн |
60+ | 1340.89 грн |
120+ | 1312.40 грн |
270+ | 1252.44 грн |
510+ | 1201.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKR25N80C IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IXKR25N80C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXKR25N80C | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IXKR25N80C | Виробник : IXYS | IXKR25N80C THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IXKR25N80C | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |