IXKR47N60C5 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1298.82 грн |
2+ | 1140.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXKR47N60C5 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IXKR47N60C5 за ціною від 1114.63 грн до 1773.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXKR47N60C5 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXKR47N60C5 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXKR47N60C5 | Виробник : IXYS | MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXKR47N60C5 | Виробник : Ixys Semiconductor GmbH |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXKR47N60C5 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |