Продукція > IXYS > IXKT70N60C5

IXKT70N60C5 IXYS


Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXKT70N60C5 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 66A, Power dissipation: 540W, Case: TO268, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 150nC, Features of semiconductor devices: super junction coolmos.

Інші пропозиції IXKT70N60C5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKT70N60C5_Datasheet.PDF MOSFETs 70 Amps 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5 IXYS IXKT70N60C5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKT70N60C5 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Super_Junction_IXKT70N60C5_Datasheet.PDF
IXKT70N60C5
Виробник: IXYS
MOSFETs 70 Amps 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXKT70N60C5 IXKT70N60C5.pdf
IXKT70N60C5
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.