Технічний опис IXKT70N60C5 Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 66A, Power dissipation: 540W, Case: TO268, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 150nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: super junction coolmos, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXKT70N60C5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXKT70N60C5 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 66A Power dissipation: 540W Case: TO268 On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
IXKT70N60C5 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IXKT70N60C5 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXKT70N60C5 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 66A Power dissipation: 540W Case: TO268 On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |