Продукція > IXYS > IXLF19N250A
IXLF19N250A

IXLF19N250A IXYS


ixys_s_a0008595152_1-2273160.pdf Виробник: IXYS
IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A
на замовлення 29 шт:

термін постачання 406-415 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3681.07 грн
10+ 3233.32 грн
25+ 2775.62 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXLF19N250A IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 19A, Power dissipation: 250W, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 70A, Mounting: THT, Gate charge: 142nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 100ns, Turn-off time: 600ns, Features of semiconductor devices: high voltage, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXLF19N250A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXLF19N250A IXLF19N250A Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixlf19n250a_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 2500V 32A 250000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товар відсутній
IXLF19N250A IXLF19N250A Виробник : IXYS IXLF19N250A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 19A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 100ns
Turn-off time: 600ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXLF19N250A IXLF19N250A Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixlf19n250a_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 2500V 32A 250W I4PAC
Packaging: Bulk
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 19A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Switching Energy: 15mJ (on), 30mJ (off)
Test Condition: 1500V, 19A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IXLF19N250A IXLF19N250A Виробник : IXYS IXLF19N250A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 19A; 250W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 19A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 100ns
Turn-off time: 600ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товар відсутній