Продукція > IXYS > IXRFSM18N50
IXRFSM18N50

IXRFSM18N50 IXYS


IXRFSM18N50_datasheet-1146933.pdf Виробник: IXYS
RF MOSFET Transistors SMPD RF Power MOSFET
на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXRFSM18N50 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 19A 16SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 835W, Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 16-SMPD, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IXRFSM18N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXRFSM18N50 IXRFSM18N50 Виробник : IXYS-RF Description: MOSFET N-CH 500V 19A 16SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 835W
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 16-SMPD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 400 V
товар відсутній