Продукція > IXYS > IXRFSM18N50
IXRFSM18N50

IXRFSM18N50 IXYS


IXRFSM18N50_datasheet-1146933.pdf
Виробник: IXYS
RF MOSFET Transistors SMPD RF Power MOSFET
на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXRFSM18N50 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 19A 16SMPD, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 16-SMPD, Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 835W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.

Інші пропозиції IXRFSM18N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXRFSM18N50 IXRFSM18N50 Виробник : IXYS-RF Description: MOSFET N-CH 500V 19A 16SMPD
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 16-SMPD
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 835W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.