| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 399.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXSA110N65L2-7TR IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 650V; 25A; 600W; D2PAK-7, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: N, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 25A, Power dissipation: 600W, Case: D2PAK-7, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 111Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 125nC, Kind of channel: enhancement, Technology: SiC.
Інші пропозиції IXSA110N65L2-7TR за ціною від 441.69 грн до 875.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXSA110N65L2-7TR | IXYS |
 Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXSA110N65L2-7TR | IXYS |
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXSA110N65L2-7TR |
|
Виробник: IXYS
Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 875.41 грн |
| 10+ | 586.17 грн |
| 50+ | 476.57 грн |
| 100+ | 441.69 грн |
| IXSA110N65L2-7TR |
|
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)