Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXSA110N65L2-7TR IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 650V; 25A; 600W; D2PAK-7, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: N, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 25A, Power dissipation: 600W, Case: D2PAK-7, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 111Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 125nC.
Інші пропозиції IXSA110N65L2-7TR за ціною від 443.71 грн до 878.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXSA110N65L2-7TR | IXYS |
 Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXSA110N65L2-7TR | IXYS |
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXSA110N65L2-7TR |
|
Виробник: IXYS
Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 878.98 грн |
| 10+ | 588.84 грн |
| 50+ | 478.77 грн |
| 100+ | 443.71 грн |
| IXSA110N65L2-7TR |
|
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)