Продукція > IXYS > IXSA20N120L2-7TR
IXSA20N120L2-7TR

IXSA20N120L2-7TR IXYS

power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa20n120l2-7tr-datasheet?assetguid=a14281e4-0ae1-4134-8838-c211060cd4b7 Виробник: IXYS
Description: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.51 грн
10+304.36 грн
100+222.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSA20N120L2-7TR IXYS

Description: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V.

Інші пропозиції IXSA20N120L2-7TR за ціною від 191.37 грн до 474.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXSA20N120L2-7TR IXSA20N120L2-7TR Виробник : IXYS Littlefuse_7-24-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA20N120L2-7TR_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO263-7L
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.22 грн
10+359.17 грн
100+251.85 грн
500+223.52 грн
800+191.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TR IXSA20N120L2-7TR Виробник : IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsa20n120l2-7tr-datasheet?assetguid=a14281e4-0ae1-4134-8838-c211060cd4b7 Description: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA20N120L2-7TR IXSA20N120L2-7TR Виробник : IXYS Littlefuse_7-24-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA20N120L2-7TR_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.