Продукція > IXYS > IXSA40N120L2-7TR
IXSA40N120L2-7TR

IXSA40N120L2-7TR IXYS

Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 900 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.48 грн
10+473.78 грн
100+342.83 грн
500+302.37 грн
800+272.20 грн
2400+260.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSA40N120L2-7TR IXYS

Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V.

Інші пропозиції IXSA40N120L2-7TR за ціною від 250.13 грн до 577.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXSA40N120L2-7TR Виробник : IXYS ixsa40n120l2-7-datasheet?assetguid=91c535e6-431a-48bd-bac5-7f59dc11aae0 Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+250.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Виробник : IXYS ixsa40n120l2-7-datasheet?assetguid=91c535e6-431a-48bd-bac5-7f59dc11aae0 Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.76 грн
10+378.95 грн
100+278.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.