IXSA40N65L2-7TR IXYS
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 217.37 грн |
| 1600+ | 205.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXSA40N65L2-7TR IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 174W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V.
Інші пропозиції IXSA40N65L2-7TR за ціною від 220.13 грн до 543.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXSA40N65L2-7TR | Виробник : IXYS |
SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXSA40N65L2-7TR | Виробник : IXYS |
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|