Продукція > IXYS > IXSA80N120L2-7TR

IXSA80N120L2-7TR IXYS


ixsa80n120l2-7-datasheet?assetguid=10a2866b-8890-46f3-a5cb-5bb83f2d390b Виробник: IXYS
Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+434.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSA80N120L2-7TR IXYS

Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V.

Інші пропозиції IXSA80N120L2-7TR за ціною від 449.29 грн до 890.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXSA80N120L2-7TR Виробник : IXYS ixsa80n120l2-7-datasheet?assetguid=10a2866b-8890-46f3-a5cb-5bb83f2d390b Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.51 грн
10+596.59 грн
100+449.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.