Продукція > IXYS > IXSA80N120L2-7TR
IXSA80N120L2-7TR

IXSA80N120L2-7TR IXYS

Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA80N120L2-7_Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+886.10 грн
10+710.89 грн
100+484.54 грн
500+459.23 грн
800+444.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSA80N120L2-7TR IXYS

Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IXSA80N120L2-7TR за ціною від 432.39 грн до 885.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXSA80N120L2-7TR IXYS ixsa80n120l2-7-datasheet?assetguid=10a2866b-8890-46f3-a5cb-5bb83f2d390b Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+432.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TR IXYS ixsa80n120l2-7-datasheet?assetguid=10a2866b-8890-46f3-a5cb-5bb83f2d390b Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.31 грн
10+593.11 грн
100+446.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TR ixsa80n120l2-7-datasheet?assetguid=10a2866b-8890-46f3-a5cb-5bb83f2d390b
Виробник: IXYS
Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+432.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA80N120L2-7TR ixsa80n120l2-7-datasheet?assetguid=10a2866b-8890-46f3-a5cb-5bb83f2d390b
Виробник: IXYS
Description: 1200V 30m (80A @ 25C) SiC MOSF
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+885.31 грн
10+593.11 грн
100+446.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.