Продукція > IXYS > IXSG110N65L2K
IXSG110N65L2K

IXSG110N65L2K IXYS

ixsg110n65l2k-datasheet?assetguid=d127241c-420d-4b40-9bb8-f5c211263533
Виробник: IXYS
Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+899.97 грн
10+602.76 грн
50+490.08 грн
100+454.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSG110N65L2K IXYS

Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 600W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

Інші пропозиції IXSG110N65L2K

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K IXYS Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSG110N65L2K_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K LITTELFUSE 4669376.pdf Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2K Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSG110N65L2K_Datasheet.pdf
IXSG110N65L2K
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2K 4669376.pdf
IXSG110N65L2K
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.