Продукція > IXYS > IXSG110N65L2K
IXSG110N65L2K

IXSG110N65L2K IXYS

ixsg110n65l2k-datasheet?assetguid=d127241c-420d-4b40-9bb8-f5c211263533
Виробник: IXYS
Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+862.47 грн
10+577.86 грн
100+459.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSG110N65L2K IXYS

Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 600W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

Інші пропозиції IXSG110N65L2K

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K LITTELFUSE 4669376.pdf Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K IXYS Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSG110N65L2K_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K LITTELFUSE 4669376.pdf Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2K 4669376.pdf
IXSG110N65L2K
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2K Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSG110N65L2K_Datasheet.pdf
IXSG110N65L2K
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG110N65L2K 4669376.pdf
IXSG110N65L2K
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.