Продукція > IXYS > IXSG40N65L2K
IXSG40N65L2K

IXSG40N65L2K IXYS

power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg40n65l2k-datasheet?assetguid=15bde63b-8e75-40b2-8290-b484f25a2b34 Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.75 грн
10+318.05 грн
100+240.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSG40N65L2K IXYS

Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 174W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V.

Інші пропозиції IXSG40N65L2K за ціною від 189.12 грн до 508.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXSG40N65L2K IXSG40N65L2K Виробник : IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg40n65l2k-datasheet?assetguid=15bde63b-8e75-40b2-8290-b484f25a2b34 SiC MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.20 грн
10+339.98 грн
100+223.26 грн
1000+211.66 грн
2000+189.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSG40N65L2K IXSG40N65L2K Виробник : IXYS power-semiconductor-sic-mosfet-ixsg40n65l2k-datasheet?assetguid=15bde63b-8e75-40b2-8290-b484f25a2b34 Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.