на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.93 грн |
| 10+ | 300.04 грн |
| 100+ | 211.17 грн |
| 450+ | 186.65 грн |
| 900+ | 160.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXSH20N120L2KHV IXYS
Description: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IXSH20N120L2KHV за ціною від 267.88 грн до 414.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXSH20N120L2KHV | Виробник : IXYS |
 Description: 1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 800 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IXSH20N120L2KHV | Виробник : IXYS |
SiC MOSFETs 1200V 60mohm (20A a.25C) SiC MOSFET in TO247-4L |
товару немає в наявності |