Продукція > IXYS > IXSH20N60B2D1
IXSH20N60B2D1

IXSH20N60B2D1 IXYS


Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 35A 190W TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSH20N60B2D1 IXYS

Description: IGBT 600V 35A 190W TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 16A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/116ns, Switching Energy: 380µJ (off), Test Condition: 480V, 16A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 33 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 190 W.

Інші пропозиції IXSH20N60B2D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXSH20N60B2D1 Виробник : IXYS 99174-1546744.pdf IGBT Transistors 20 Amps 600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.