IXSH40N65L2KHV IXYS
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 613.94 грн |
| 10+ | 403.18 грн |
| 450+ | 254.02 грн |
| 900+ | 226.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXSH40N65L2KHV IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 174W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V.
Інші пропозиції IXSH40N65L2KHV за ціною від 259.50 грн до 639.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXSH40N65L2KHV | IXYS |
SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXSH40N65L2KHV |
|
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 639.14 грн |
| 10+ | 429.44 грн |
| 100+ | 259.50 грн |