Продукція > IXYS > IXSH40N65L2KHV
IXSH40N65L2KHV

IXSH40N65L2KHV IXYS

ixsh40n65l2khv-datasheet?assetguid=7646e61d-a08c-492f-af10-af5c9f4809a6
Виробник: IXYS
Description: 650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 600 V
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+615.09 грн
10+403.92 грн
50+323.35 грн
450+238.85 грн
900+226.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSH40N65L2KHV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXSH40N65L2KHV - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.078 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 174W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

Інші пропозиції IXSH40N65L2KHV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXSH40N65L2KHV IXSH40N65L2KHV IXYS Littlefuse_7-24-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N65L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N65L2KHV IXSH40N65L2KHV LITTELFUSE 4651744.pdf Description: LITTELFUSE - IXSH40N65L2KHV - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N65L2KHV Littlefuse_7-24-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N65L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N65L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N65L2KHV 4651744.pdf
IXSH40N65L2KHV
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXSH40N65L2KHV - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.