на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 991.31 грн |
| 10+ | 795.84 грн |
| 120+ | 576.82 грн |
| 510+ | 513.15 грн |
| 1020+ | 479.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXSH80N120L2KHV IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 58A; Idm: 198A; 395W, Mounting: THT, Case: TO247-4, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Gate-source voltage: -10...23V, Gate charge: 135nC, On-state resistance: 58mΩ, Drain current: 58A, Power dissipation: 395W, Drain-source voltage: 1.2kV, Pulsed drain current: 198A, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IXSH80N120L2KHV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXSH80N120L2KHV | Виробник : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 58A; Idm: 198A; 395W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Gate-source voltage: -10...23V Gate charge: 135nC On-state resistance: 58mΩ Drain current: 58A Power dissipation: 395W Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 198A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |