Продукція > IXYS > IXSN35N100U1

IXSN35N100U1 IXYS


93005.pdf Виробник: IXYS

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXSN35N100U1 IXYS

Description: IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Power - Max: 205 W, Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IXSN35N100U1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXSN35N100U1 Виробник : IXYS 93005.pdf MODULE
на замовлення 605 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSN35N100U1 IXSN35N100U1 Виробник : IXYS 93005.pdf Description: IGBT MOD 1000V 38A 205W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
товар відсутній
IXSN35N100U1 Виробник : IXYS ixys_93005-1547096.pdf IGBT Transistors 35 Amps 1000V
товар відсутній