IXTA02N250HV

IXTA02N250HV Littelfuse Inc.


littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+854.64 грн
50+555.36 грн
100+536.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA02N250HV Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTA02N250HV за ціною від 483.96 грн до 1168.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA02N250HV IXTA02N250HV Виробник : IXYS media-3322395.pdf MOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+963.13 грн
10+859.12 грн
25+710.08 грн
50+686.69 грн
100+643.68 грн
500+615.00 грн
1000+535.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV IXTA02N250HV Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+968.41 грн
5+841.43 грн
10+714.46 грн
50+545.52 грн
100+494.12 грн
250+483.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV IXTA02N250HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA02N250HV Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta02n250hv-datasheet?assetguid=b2d760d9-23ea-4e96-ad8f-e78cf49fd62e IXTA02N250HV SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1168.19 грн
2+735.74 грн
5+695.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.