IXTA02N250HV IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.5µs
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 450Ω
Drain-source voltage: 2.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO263
Kind of package: tube
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 787.99 грн |
| 2+ | 572.19 грн |
| 5+ | 540.44 грн |
| 50+ | 519.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA02N250HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTA02N250HV за ціною від 476.16 грн до 945.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA02N250HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA02N250HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs SMD N-CHANNEL POWER MOSFET |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA02N250HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA02N250HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us Mounting: SMD Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 1.5µs Drain current: 0.2A Power dissipation: 83W On-state resistance: 450Ω Drain-source voltage: 2.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: TO263 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA02N250HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |