IXTA05N100HV-TRL IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 157.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA05N100HV-TRL IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA05N100HV-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA05N100HV-TRL | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTA05N100HV-TRL | Виробник : IXYS |
MOSFETs IXTA05N100HV TRL |
товару немає в наявності |