Продукція > LITTELFUSE > IXTA05N100HV
IXTA05N100HV

IXTA05N100HV Littelfuse

te_mosfets_n-channel_standard_ixta05n100hv_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+202.88 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA05N100HV Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA05N100HV за ціною від 179.33 грн до 370.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA05N100HV IXTA05N100HV Виробник : IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
On-state resistance: 17Ω
Drain current: 0.75A
Drain-source voltage: 1kV
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.07 грн
3+214.30 грн
10+189.23 грн
50+181.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV IXTA05N100HV Виробник : IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
On-state resistance: 17Ω
Drain current: 0.75A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.89 грн
3+267.05 грн
10+227.08 грн
50+218.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV IXTA05N100HV Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTA05N100HV_Datasheet.PDF MOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.44 грн
10+228.55 грн
100+185.54 грн
500+179.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA05N100HV IXTA05N100HV Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta05n100-datasheet?assetguid=32773929-b0c4-47ee-818f-306068b1c745 Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.