IXTA05N100HV IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 320.55 грн |
| 3+ | 281.07 грн |
| 10+ | 238.79 грн |
| 50+ | 186.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA05N100HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA05N100HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA05N100HV | IXYS |
MOSFETs High Voltage Power MOSFET |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA05N100HV |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs High Voltage Power MOSFET
MOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)