Продукція > LITTELFUSE > IXTA05N100HV
IXTA05N100HV

IXTA05N100HV Littelfuse

te_mosfets_n-channel_standard_ixta05n100hv_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+174.47 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA05N100HV Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA05N100HV за ціною від 154.22 грн до 345.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA05N100HV IXTA05N100HV Виробник : IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.38 грн
3+ 216.28 грн
5+ 171.77 грн
14+ 162.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA05N100HV IXTA05N100HV Виробник : IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+310.05 грн
3+ 269.52 грн
5+ 206.13 грн
14+ 195.28 грн
IXTA05N100HV IXTA05N100HV Виробник : IXYS media-3320619.pdf MOSFET High Voltage Power MOSFET
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 612-621 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.82 грн
10+ 286.37 грн
50+ 235 грн
100+ 200.95 грн
250+ 190.27 грн
500+ 178.92 грн
1000+ 154.22 грн
IXTA05N100HV IXTA05N100HV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta05n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній