на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.19 грн |
| 10+ | 346.32 грн |
| 50+ | 238.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA06N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA06N120P за ціною від 136.40 грн до 394.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA06N120P | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA06N120P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA06N120P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXTA06N120P | Виробник : IXYS |
IXTA06N120P SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IXTA06N120P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |